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半導體行業碳化硅長晶爐應用案例
日期：2026-01-05 13:05
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摘要：
（PVT）是制備碳化硅（SiC）晶體的主流方法之一，PVT法生長SiC單晶，溫度高達2300℃，生長過程需嚴格控制生長溫度梯度，其溫度控制系統為閉環控制，由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器（感應線圈）組成。
系統框圖：
宇電AI系列人工智能調節器
1、AI-8x9系列
2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC
成功應用于國內某半導體裝備制造頭部企業碳化硅長晶爐，該系統溫度的控制，儀表兼容多類型輸入/輸出規格，具備可調的控制周期及報警功能，通訊兼容RS485及RS232，且可匹配外部TCP模塊實現...
（PVT）是制備碳化硅（SiC）晶體的主流方法之一，PVT法生長SiC單晶，溫度高達2300℃，生長過程需嚴格控制生長溫度梯度，其溫度控制系統為閉環控制，由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器（感應線圈）組成。
系統框圖：
宇電AI系列人工智能調節器
1、AI-8x9系列
2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC
成功應用于國內某半導體裝備制造頭部企業碳化硅長晶爐，該系統溫度的控制，儀表兼容多類型輸入/輸出規格，具備可調的控制周期及報警功能，通訊兼容RS485及RS232，且可匹配外部TCP模塊實現MODBUS-TCP便捷通訊。
溫度控制效果：
溫度控制效果：溫度波動≤±0.5℃@2200℃，溫度超調、穩定時間等指標均與英國競品水平相當，經終端客戶驗證，可完全平替國外競品，成功實現國產替代。